HBM需求有多強？美銀：搶產能可能導致DRAM供應短缺

4月14日，美国银行发布全球内存技术主题研报，对HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）及DRAM（动态随机存取存储器）技术的最新动态和趋势进行了解读。

报告表示，由于良品率较低、制造周期较长以及订单持续强劲，预计HBM需要的DRAM晶圆产能可能要比当前的预测多出10%-20%。此前，美银预计2024年和2025年的全球DRAM晶圆产能为18.2万片/月和25.7万片/月。

HBM需求越高，DRAM消耗越大

HBM技术可以说是DRAM从传统2D向立体3D发展的主要代表产品，因其通过堆叠8-12个DRAM芯片制成，因此需要更多的DRAM晶圆产能。

具体来看，报告表示：

目前HBM的平均良品率可能只有70%以上的水平，很难达到90%以上；

完成HBM的前端和后端工艺通常需要5个月以上的时间，这比原先预计的4个月内完成更为合理。这可能会导致生产效率降低，进一步增加对晶圆的需求；

在英伟达和其他大型生产商的需求推动下，预计下半年甚至到2025年的新订单会更为强劲。

这意味着，想要生产足量的、高质量的HBM，就需要投入更多DRAM晶圆产量。报告表示，这个过程可能需要丢弃超过30%的晶圆，高于此前不到30%的预期。

非HBM用的DRAM供应面临短缺

同时，美银还指出，这种对DRAM晶圆产能的增加需求可能会导致2025年非HBM用的常规DRAM出现供应短缺。

公开资料显示，用于HBM的DRAM设备与商用内存（如DDR4、DDR5）的典型DRAM IC完全不同，不仅要求更高的测试设备数量，在存储体和数据架构上也进行了重新设计。

而用于HBM的DRAM设备必须具有宽接口，因此它们的物理尺寸更大，也比常规DRAM IC更昂贵。据媒体报道，美光首席执行官 Sanjay Mehrotra曾表示：

“HBM3E芯片的尺寸大约是同等容量DDR5的两倍。HBM产品包括逻辑接口芯片，并且具有更加复杂的封装堆栈，这会影响良品率。因此，HBM3和3E需求将吸收行业晶圆供应的很大一部分。”

“HBM3和3E产量的增加将降低全行业DRAM位供应的整体增长，尤其是对非HBM产品的供应影响，因为更多产能将被转移到解决HBM机会上。”

而作为AI时代的“新宠”，HBM的供不应求预计还将持续。高盛也在早些时候发布研报称，预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍（4年复合年增长率77%），从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。

编辑/new

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