旺宏电子已量产 96 层 3D NAND Flash，2023 年底完成 192 层产品开发

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目前旺宏拥有一座 12 吋晶圆厂及一座 8 吋晶圆厂；6 吋晶圆厂 2021 年 8 月以新台币 25.2 亿元出售予鸿海。

最近，旺宏三维储存型快闪存储器（3D NAND Flash）产品开发有新进展，其内部开发的 96 层 3D NAND 闪存已开始量产，标志着该芯片制造商的 NAND 业务的一个里程碑。

除此之外，旺宏先前表示，预计 2023 年底进一步完成 192 层 3D NAND Flash 产品开发。IT之家查询发现，旺宏 48 层 3D NAND Flash 产品于 2021 年 9 月量产。

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应 3D NAND Flash 研发及营运所需，旺宏董事会去年 12 月通过新台币 26.48 亿元资本预算，包含 2023 年资本支出及 3D NAND Flash 研发机器设备，预计 2023 年第 1 季起陆续投资。

旺宏同时持续推进序列式快闪存储器技术，今年 1 月开始量产 45 纳米 3V 序列式快闪存储器（Serial Flash）系列产品。