
此前,台积电美国亚利桑那州 5 纳米新厂,已于 7 月底上梁,预计一期于 2024 年量产,第一期月产能 2 万片。
不过,由于台积电亚利桑那州厂土地面积广大,占地约 445 公顷,先前就多次传出,台积电将扩大亚利桑那州投资计划,预计建 6 座晶圆厂。
台积电总裁魏哲家去年也曾说,台积电已在亚利桑那州取得大范围土地,以维持弹性,进一步扩建是有可能的,但首要任务是使第一期厂房顺利量产,接着根据营运效率、成本效益,及客户需求来决定下一步计划。
据了解,台积电的 3nm 工艺仍将采用 FinFET 晶体管的结构,而三星的 3nm 节点采用 GAA 晶体管架构。三星甚至领先于台积电,将 3nm 工艺技术转向量产。
消息人士指出,AMD、苹果、博通、英特尔、联发科、英伟达和高通等厂商均已向台积电下达 3nm 芯片订单,但三星的 3nm GAA 工艺尚未吸引主要芯片供应商的订单。
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