华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术，频率可提升至多 400MT/s

华硕表示，NitroPath DRAM 技术通过其独有的布局布线提高内存速度。这种尖端设计通过缩短金手指引脚和优化主板内的信号通路来减少噪音干扰。

信号传输更流畅、噪音和反射更少，意味着用户可在采用 NitroPath DRAM 的主板上实现更高的内存频率，至多可达额外 400MT/s。此外这一设计即使在严苛负载下也能提升系统稳定性。

不仅如此，NitroPath DRAM 也提升了插槽牢固程度，使内存槽拥有更优秀的抗侧向力能力和保持力、更抗内存安装过程产生的磨损，这对需要升级或更换内存条的发烧友而言具有明显价值。

IT之家获悉，华硕在 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 两款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技术。

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