三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证，有望在 HBM4 内存大面积应用

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Dae Woo Kim 表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的 16 层堆叠 HBM3 内存，该内存样品工作正常，未来 16 层堆叠混合键合技术将用于 HBM4 内存量产。

▲ 图源 The Elec，下同

相较现有键合工艺，混合键合无需在 DRAM 内存层间添加凸块，而是将上下两层直接铜对铜连接，可显著提高信号传输速率，更适应 AI 计算对高带宽的需求。

混合键合还可降低 DRAM 层间距，进而减少 HMB 模块整体高度，但也面临成熟度不足，应用成本昂贵的问题。

三星电子在 HBM4 内存键合技术方面采用两条腿走路的策略，同步开发混合键合和传统的 TC-NCF 工艺。

结合下方图片和IT之家以往报道，HBM4 的模块高度限制将放宽到 775 微米，有利于继续使用 TC-NCF。

三星正努力降低 TC-NCF 工艺的晶圆间隙，目标在 HBM4 中将这一高度缩减至 7.0 微米以内。

不过 TC-NCF 技术也面临着质疑。Dae Woo Kim 回击称三星电子的方案相较竞争对手 SK 海力士的 MR-RUF 更适合 12 层乃至 16 层的高堆叠模块。

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