英国 Quinas 获 110 万英镑资助，推动 ULTRARAM 内存技术大规模生产

据介绍，ULTRARAM 由兰卡斯特大学教授 Manus Hayne 发明，其目标是结合非易失性存储 NAND 与 DRAM 的速度与耐用性。

这 110 万英镑资金将被用于将 ULTRARAM 晶圆直径由 3 英寸扩大到 6 英寸，并使用 IQE 公司的金属有机化合物气相外延（MOCVD）主流生产技术实现。该项目为期一年。

下一阶段目标是在完整的 8 英寸晶圆上制造，然后将该工艺转化为适合晶圆厂的工业工艺。

IT之家此前报道，Quinas 声称 ULTRARAM 技术最高可承受 1000 万次写循环，存储到 ULTRARAM 单元中的电荷可以存储 1000 年而不泄露。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。

未经允许不得转载：新聚网 » 英国 Quinas 获 110 万英镑资助，推动 ULTRARAM 内存技术大规模生产