SK 海力士拟投资近 40 亿美元，建设其首家美国芯片工厂

SK 海力士计划在美国西拉斐特市建设首个工厂，并计划于 2028 年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线，这些芯片是训练人工智能（AI）系统图形处理器的关键组件。

作为 HBM 芯片的主要设计者和生产商，SK 海力士已逐渐成为 AI 发展大潮中的关键参与者，其生产的芯片与英伟达公司的处理器协同工作。报道称，在当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。SK 集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）当时曾表示，该企业将拨出大约 150 亿美元（当前约 1087.5 亿元人民币），在美国建设芯片设施和加强研究项目。

SK 海力士方面称，此次宣布的事项，是上述“总承诺”的一部分。

据IT之家此前报道，《华尔街日报》曾在 3 月下旬放出了与此次几乎相同的消息：SK 海力士计划投资约 40 亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于 2028 年投产。对此，SK 海力士在一份声明中表示，公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划，但尚未作出决定。

知情人士曾对《华尔街日报》透露，SK 海力士董事会预计很快就会批准这一决定，此举将推动美国政府恢复美国半导体大国地位的雄心，预计将创造约 800~1000 个新工作岗位。

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